III-V 族氮化物半导体的正交与非正交紧束缚参数
材料科学
2016-09-21 v1
摘要
采用模拟退火（SA）方法确定了氮化物半导体 AlN、GaN 和 InN 的不同紧束缚（TB）参数集，并讨论了其局限性与潜力。考虑了两种原子基组：（\textit{i}）包含直至第二近邻相互作用的正交 基组，以及（\textit{ii}） 非正交基组，其哈密顿矩阵元在扩展休克尔理论（EHT）框架内计算。对于非正交方法，同时给出了闪锌矿和纤锌矿晶体结构的 TB 参数。
引用
@article{arxiv.1608.04715,
title = {Orthogonal and Non-Orthogonal Tight Binding parameters for III-V Semiconductors Nitrides},
author = {A. S. Martins and C. E. Fellows},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.04715},
year = {2016}
}
备注
11 pages, 1 figure, accepted for publication in the Brazilian Journal of Physics