半导体浅能级的原子尺度描述
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
在紧束缚（TB）方法中计算了 GaAs 中浅层供体的波函数和结合能，所用超胞尺寸可达两百万个原子。得到的解耦合上升定律，使我们能够外推到体积极限。随着杂质扰动的增大，得到了浅深相变的尖锐转折。该模型允许我们在有效质量理论与 TB 形式之间的定量一致性进行探讨。虽然计算得到的结合能与实验数据非常吻合，但 TB 包络函数中得到的各向异性和整体衰减，却无法由类氢型有效质量预测所容纳。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0204356,
title = {Atomistic Description of Shallow Levels in Semiconductors},
author = {A. S. Martins and J. G. Menchero and R. B. Capaz and Belita Koiller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0204356},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 4 figures