二阶形变势在InAs/GaAs纳米结构建模中的重要性
介观与纳米尺度物理
2019-10-16 v1
摘要
纳米结构电子性质的精确建模是一个具有挑战性的理论问题。采用连续介质近似的方法（如 k.p 方法）有时难以复现更精确的原子级方法所得结果。相反，原子级方案通常伴随显著更高的计算代价。在此，我们通过采用辅以非线性应变项的8带 k.p 方法拟合 sp3d5s* 紧束缚结果，在这两类方法间建立桥梁。我们以光子学应用相关的 InAs/GaAs 材料体系中量子阱与量子点内受限的电子与空穴态为例阐释该方法，并展示非线性 k.p 方案与经验紧束缚方法的良好一致性。我们讨论了该方法的局限，并提供了 InAs 与 GaAs 的非线性8带 k.p 参数集。最后，我们提出了一种用于提升标准有效质量方法精度的有效项参数化方案。
引用
@article{arxiv.1908.01237,
title = {The importance of second order deformation potentials in modeling of InAs/GaAs nanostructures},
author = {Krzysztof Gawarecki and Michał Zieliński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.01237},
year = {2019}
}