具有亚原子分辨率的硅与砷化镓超薄体的紧束缚分析
材料科学
2015-08-12 v1
摘要
经验紧束缚(ETB)方法广泛用于原子级器件模拟。生成ETB参数的传统方法依赖于对块体实验或理论电子能带的直接拟合。然而，基于现有参数的ETB计算在极小结构（如As端接的GaAs超薄体(UTBs)）中会导致非物理结果。本工作表明，通过将第一性原理能带和波函数映射到紧束缚模型的过程，可获得更可靠的参数化。该过程使得不仅能用相应的第一性原理计算校准ETB能带，还能校准ETB波函数。基于该映射过程，相对于杂化泛函计算，对Si和GaAs的ETB模型进行了参数化。获得了高度定域的ETB基函数。具有UTBs亚原子分辨率的ETB能带和波函数均与相应的杂化泛函计算吻合良好。然后，ETB方法可用于解释非平衡下实际扩展器件，这是第一性原理方法无法处理的。
引用
@article{arxiv.1503.04781,
title = {Tight binding analysis of Si and GaAs ultra thin bodies with subatomic resolution},
author = {Yaohua P. Tan and Michael Povolotsky and Tillmann Kubis and Timothy B. Boykin and Gerhard Klimeck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04781},
year = {2015}
}
备注
11pages, 10 figures