经验紧密结合方法用于无序半导体合金的大单元胞模拟
材料科学
2024-01-31 v1 计算物理
摘要
我们分析并展示了最近提出的经验紧密结合方案的应用，旨在调查杂化半导体合金中various电子和光学性质的效应，如带隙变化、载流子局域化以及光学跃迁。结果表明，对于典型含锗的III-V合金GaAsSb，新方案在再现实验合金带隙方面显著提高了准确性，优于其他常用方案。经验紧密结合方法的原子尺度特性结合可靠的参数化，使我们能够更深入地洞察杂化材料中无序效应的物理机制。
引用
@article{arxiv.2401.16951,
title = {Empirical tight-binding method for large-supercell simulations of disordered semiconductor alloys},
author = {Anh-Luan Phan and Alessandro Pecchia and Alessia Di Vito and Matthias Auf der Maur},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.16951},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 6 figures