二元合金的带隙弯曲：CdZnSe的实验结果与理论紧束缚超胞计算比较
材料科学
2015-05-19 v2 计算物理
摘要
ABC型化合物半导体合金因其电子体带隙随x连续变化而得到广泛应用，因此通过改变浓度可以调控能隙。我们通过有限超胞系综上的多带紧束缚模型模拟此类半导体合金的电子性质，并确定合金的带隙。该处理方法能够内在再现带隙弯曲效应作为浓度x的函数，并且在合金诱导的无序中是精确的。在本文中，我们以体CdZnSe作为明确模型系统，仔细分析了基组和超胞尺寸的恰当选择，以及必要的实现次数。将结果与文献中报道的通过分子束外延(MBE)制备的CdZnSe层的椭偏测量实验数据以及催化生长的CdZnSe纳米线的光致发光(PL)测量结果进行了比较。
引用
@article{arxiv.1007.2297,
title = {Band gap bowing of binary alloys: Experimental results compared to theoretical tight-binding supercell calculations for CdZnSe},
author = {Daniel Mourad and Carsten Kruse and Sebastian Klembt and Reiner Retzlaff and Mariuca Gartner and Mihai Anastasescu and Detlef Hommel and Gerd Czycholl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2297},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 6 figures