铍硫族化物/硅异质结构的电子和光学性质

我们通过半经验 $sp^{3}s^{*}$ 紧束缚方法计算了 Si/BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59}$ 异质结构的电子和光学性质。BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59}$ 的紧束缚参数和能带弯曲通过最近提出的高失配半导体合金模型来考虑。能带弯曲和导带偏移的测量结果导致 Si/BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59}$ 形成II型异质结构，其导带最小值位于Si层，价带最大值位于BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59}$层。我们考虑了各种 (Si$_{2})_{n }$/(BeSe$_{0.41}$Te$_{0.59})_{m}$ [001] 超晶格的电子结构和光学性质。在体Si的带隙内发现了两个界面态能带。我们的计算表明，光学边低于体Si的基本带隙，并且跃迁是光学允许的。