Si/SiO$_2$ 超级晶格中的电子局域化与光学增强
材料科学
2009-11-07 v1
摘要
我们采用线性增强平面波技术和密度泛函理论，对 Si/SiO 超级晶格进行第一性原理计算，以考察其电子态、局域化及光学跃迁。考虑两种具有较为简单界面结构的原子模型；它们在界面处空位键的满足方式上存在差异。我们将我们的第一性原理能带结构与紧束缚计算结果进行比较。计算了在费米-金格定律水平下得到的介电函数的实部和虚部，并用于估算吸收系数。通过生长方向上电子能带结构的无位移特性确认了局域化。通过将能带结构中的直接跃迁与间接跃迁与体态硅中相关跃迁进行比较，显示出光学增强的存在。通过比较两种模型的吸收系数来评估界面在光学性质中的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0101137,
title = {Electron confinement and optical enhancement in Si/SiO$_2$ superlattices},
author = {Pierre Carrier and Laurent J. Lewis and M. W. Chandre Dharma-wardana},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0101137},
year = {2009}
}
备注
10 pages including 7 postscript figures; submitted to Phys. Rev. B