Si/SiO2量子点的电子与能级统计性质
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1 混沌动力学
量子物理
摘要
在单子带有效质量近似下，考虑了嵌入SiO2衬底中的球形硅量子点(QDs)。硅导带的非抛物性通过电子有效质量的能量依赖性来描述。计算了低能单电子和单空穴能级。对于小尺寸量子点(直径D<6nm)，存在强限制区域，此时能级数量限制在几个能级。使用一阶微扰理论计算了考虑电子和重空穴之间库仑力的中性激子复合能。我们的模型计算很好地再现了PL激子数据。对于弱限制区域(尺寸D>10 nm)，当限制能级数量限制在几百个时，我们考虑了电子限制的统计性质。计算了电子能级的分布函数，并讨论了结果。
引用
@article{arxiv.0912.5052,
title = {Electronic and Level Statistics Properties of Si/SiO2 Quantum Dots},
author = {I. Filikhin and S. G. Matinyan and B. K. Schmid and B. Vlahovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.5052},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 8 figures