球对称 8 能带模型中量子点量子井的电子和空穴态
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
为了研究由参数差异大的材料和狭缝带隙材料组成的异构结构，我们发展了一种方法，将球对称 8 能带有效质量哈密顿量与 Burt 的包络函数表示相结合。使用该方法，计算了 CdS/HgS/CdS/H_2O 和 CdTe/HgTe/CdTe/H_2O 量子点量子井异构结构中的电子和空穴态。给出了典型量子点量子井 (QDQWs) 中最低 S 和 P 电子和空穴态径向波函数随半径的函数。8 能带模型中电子的 6 能带空穴分量的径向波函数振幅与相应的 2 能带电子分量的振幅相当。这源于导带和价带之间的耦合，导致导带强非抛物化。在相比之下，8 能带模型中空穴的 2 能带电子分量的径向波函数振幅较小。显示在 CdS/HgS/CdS/H_2O QDQW 中，最低能态的空穴在井区 (HgS) 中被强局域化。相反，本 QDQW 中的电子以及 CdTe/HgTe/CdTe/H_2O QDQW 中的电子和空穴分布遍布整个量子点。通过严格的 8 能带模型与常用对称化 8 能带模型中出现的虚构态之间的对比，证明了所developed理论对 QDQWs 的重要性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109277,
title = {Electron and hole states in quantum-dot quantum wells within a spherical 8-band model},
author = {E. P. Pokatilov and V. A. Fonoberov and V. M. Fomin and J. T. Devreese},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109277},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 5 figures, E-mail addresses: [email protected], [email protected]