球形 Si/SiO$_2$ 量子点中的单粒子态
材料科学
2007-08-23 v2
摘要
我们在多带有效质量近似下计算了 SiO 内球形 Si 量子点中的基态和激发态电子和空穴能级。空穴使用 Luttinger 哈密顿量描述，并考虑了 Si 中导带电子有效质量的强各向异性。对于电子和空穴波函数，我们使用波函数和速度密度在量子点边界处的连续性作为边界条件。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609193,
title = {Single-particle states in spherical Si/SiO$_2$ quantum dots},
author = {A. S. Moskalenko and J. Berakdar and A. A. Prokofiev and I. N. Yassievich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609193},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 5 figures