CuFeS$_2$ 中电子与空穴的低能性质
介观与纳米尺度物理
2023-01-04 v1
摘要
反铁磁半导体 CuFeS 属于一类对自旋电子学应用有意义的磁对称类。此外，其晶格与 Si 兼容，使其可与非磁性半导体结构集成。因此，我们通过求解电子带与空穴带的有效 哈密顿量来研究该材料。该描述基于第一性原理(ab initio)计算，并按对称性对电子能带进行分类。结果我们发现 CuFeS 呈现自旋极化能带与反常霍尔效应。最后，我们建议使用回旋共振来验证我们所提出的导带极小与价带极大处的有效质量张量。
引用
@article{arxiv.2208.08242,
title = {Low-energy Properties of Electrons and Holes in CuFeS$_2$},
author = {Bjørnulf Brekke and Roman Malyshev and Ingeborg-Helene Svenum and Sverre M. Selbach and Thomas Tybell and Christoph Brüne and Arne Brataas},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.08242},
year = {2023}
}
备注
13 pages, 8 figures