单层 MoS$_2$ 的有效晶格哈密顿量：利用垂直电场和磁场调控电子结构
介观与纳米尺度物理
2013-09-04 v2 材料科学
摘要
我们提出了一个单层 MoS 的有效晶格哈密顿量，用以描述其低能能带结构，并研究垂直电场和磁场对其电子结构的影响。我们基于钼原子 轨道与硫原子 轨道的杂化推导了一个紧束缚模型，随后利用准简并微扰法引入了单层 MoS 的修正两带连续介质模型。我们的理论证明，该系统的低能激发不再是质量型狄拉克费米子。它揭示了电子与空穴质量之间的差异，并给出了三角翘曲效应。此外，我们预测了朗道能级中的能谷简并破缺效应。另外，我们还表明，垂直于单层施加栅压可改变其电子结构，包括带隙和有效质量。
引用
@article{arxiv.1302.5901,
title = {Effective lattice Hamiltonian for monolayer MoS2 : Tailoring electronic structure with perpendicular electric and magnetic fields},
author = {Habib Rostami and Ali G. Moghaddam and Reza Asgari},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.5901},
year = {2013}
}
备注
7 pages, 3 figures, To appear in PRB