单层 MoS$_2$ 中的压电静电超晶格
材料科学
2024-01-09 v2
摘要
通过电场调控材料的电子性质是现代半导体器件工作的核心，它提供了获取复杂电子行为以及更大自由度来调谐材料能带结构的可能。在此，我们探究了在典型二维半导体单层 MoS 中由约束静电势诱导的一维超晶格。利用第一性原理计算，我们表明施加于单层 MoS 的周期性势场诱导出静电超晶格，其中相对于纯电子效应，响应主要由结构畸变主导。这些结构畸变大幅降低了单层的本征带隙，同时通过压电耦合使单层极化，导致载流子的空间分离以及产生色散微带的 Stark 位移。重要的是，这些微带继承了单层 MoS 的谷选择性磁性质，从而能够对 MoS 及类似过渡金属硫族化合物中的自旋-谷耦合进行精细调控。
引用
@article{arxiv.2309.01347,
title = {Piezoelectric Electrostatic Superlattices in Monolayer MoS$_2$},
author = {Ashwin Ramasubramaniam and Doron Naveh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.01347},
year = {2024}
}
备注
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