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通过单层 $\rm MoS_2$ 中的参数泵浦实现谷-自旋极化电流

介观与纳米尺度物理 2023-01-30 v1

摘要

单层 MoS2MoS_2 是一种典型的谷电子学材料,具有谷-自旋锁定的价带。我们通过数值研究单层 MoS2\rm MoS_2 中经由绝热电子泵浦产生的谷-自旋极化电流。通过引入交换场打破单层 MoS2MoS_2 的能级简并,其价带顶呈现谷-自旋极化且可由交换场调控。通过在相应区域施加不同交换场,构建出自旋向上极化的左引线、自旋向下极化的右引线以及未调控中心区的器件。随后,当周期性改变两个泵浦势时,左、右引线中同时产生等量且具相反谷-自旋极化的泵浦电流。数值结果表明,泵浦势之间的相位差可改变泵浦电流的方向从而改变其极化。研究发现泵浦电流在谷-自旋锁定能窗内呈现共振行为,该行为强烈依赖于系统尺寸,并在特定系统长度下增强为共振电流峰。更重要的是,泵浦电流作为系统长度的函数周期性振荡,这与透射的振荡密切相关。其他系统参数(如泵浦幅值与静势)的影响也得到充分讨论。

关键词

引用

@article{arxiv.2301.11644,
  title  = {Realization of valley-spin polarized current via parametric pump in monolayer $\rm MoS_2$},
  author = {Kai-Tong Wang and Hui Wang and Fuming Xu and Yunjin Yu and Yadong Wei},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2301.11644},
  year   = {2023}
}