作为自旋轨道力矩层的具有改善电导率的钒掺杂磁性 MoS2 单层
应用物理
2024-11-15 v1
摘要
具有高电导率和自旋轨道耦合（SOC）的二维（2D）过渡金属硫族化合物层在自旋电子器件中具有巨大潜力。鉴于二维自旋霍尔材料开发的有限成功，我们展示了钒（V）取代掺杂的单层 MoS2（VMS）作为一种潜在的自旋霍尔材料，具有可调的电导率、SOC 强度和室温磁性。随着 V 掺杂程度的增加，观察到电导率系统性增强，从 MoS2 的约 0.3 S/m 提高到掺杂至 9 原子百分比水平时的约 100000 S/m。基于铁磁共振（FMR）的自旋泵浦实验表明，自旋可穿过坡莫合金（Py）与 VMS 的结进行传输。自旋力矩 FMR 测量证明了后者作为二维自旋电子器件中自旋轨道力矩层的潜力。
引用
@article{arxiv.2411.09277,
title = {Vanadium Doped Magnetic MoS2 Monolayers of Improved Electrical Conductivity as Spin-Orbit Torque Layer},
author = {Krishna Rani Sahoo and Manoj Talluri and Dipak Maity and Suman Mundlia and Ashique Lal and M. S. Devapriya and Arabinda Haldar and Chandrasekhar Murapaka and Tharangattu N. Narayanan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2411.09277},
year = {2024}
}