单层 1T-TaS$_2$ 中的阻尼型力矩
介观与纳米尺度物理
2021-03-11 v1
摘要
阻尼型自旋轨道力矩（SOT）是超低功耗自旋逻辑器件的先决条件。本文报道了仅一层导电过渡金属二硫族化物（TMD）TaS 与 NiFe (Py) 铁磁层界面处的阻尼型 SOT。测得电荷-自旋转换效率为 0.250.03，自旋霍尔电导率（2.63 10 m）优于其他 TMD 报道的值。这种大阻尼型 SOT 的起源可归结为 TaS/Py 异质结构的界面特性，且实验结果得到了密度泛函理论计算结果的补充。本研究中展示的阻尼型力矩的主导地位为设计下一代基于导电 TMD 的低功耗量子存储器件提供了有前景的途径。
引用
@article{arxiv.2004.02649,
title = {Damping-like Torque in Monolayer 1T-TaS$_2$},
author = {Sajid Husain and Xin Chen and Rahul Gupta and Nilamani Behera and Prabhat Kumar and Tomas Edvinsson and Felipe Garcia Sanchez and Rimantas Brucas and Sujeet Chaudhary and Biplab Sanyal and Peter Svedlindh and Ankit Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.02649},
year = {2021}
}
备注
11pages,6figures