利用超薄插入层的强界面散射增强自旋轨道转矩
介观与纳米尺度物理
2019-06-12 v1 材料科学
摘要
增大阻尼类自旋轨道转矩(SOT)既对开展自旋电子学现象的新研究具有基础重要性，也对推进低功耗自旋转矩存储器、逻辑与振荡器器件具有技术上的紧迫性。在此，我们证明通过在具有内禀或侧跳机制的自旋霍尔金属中插入超薄层来增强界面散射，可显著提升自旋霍尔比。通过亚单原子层Hf插入，阻尼类SOT增强了2倍，这由谐波响应测量和面内磁化磁存储器件的电流诱导翻转所证实，其创纪录的低临界翻转电流约为73 uA（翻转电流密度为3.6x10^6 A/cm^2）。本工作展示了一种用于最大化低功耗自旋转矩器件阻尼类SOT的非常有效的策略。
引用
@article{arxiv.1904.07800,
title = {Enhancing spin-orbit torque by strong interfacial scattering from ultra-thin insertion layers},
author = {Lijun Zhu and Lujun Zhu and Shengjie Shi and Manling Sui and D. C. Ralph and R. A. Buhrman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.07800},
year = {2019}
}