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二维晶体中的电子结构、磁激子与谷极化电子气

介观与纳米尺度物理 2018-10-31 v1

摘要

我们在此描述近期关于二维晶体中电子性质、磁激子与谷极化电子气的工作。在二维晶体中,单层 MoS2MoS_2 作为石墨烯的直接带隙二维半导体类似物已引起显著关注。单层 MoS2MoS_2 的晶体结构打破反演对称性,并导致 K 谷选择定则,允许以光学方式寻址个别谷。此外,近 Q 点的能带嵌套负责增强 MoS2MoS_2 的光学响应。我们表明,在低能下 MoS2MoS_2 的电子结构可由有质量狄拉克费米子模型很好地近似。我们聚焦于磁场对 MoS2MoS_2 光学性质的影响。我们讨论两个不等价谷中有质量狄拉克费米子的朗道能级结构及由此产生的谷塞曼分裂。描述了电子-电子相互作用对谷塞曼分裂及磁激子谱的影响。我们展示了在计入自能、电子-空穴交换与关联效应时吸收谱的变化。最后,我们描述了 WS2WS_2 中的谷极化电子气及其在有限磁场中的光学特征。

关键词

引用

@article{arxiv.1810.12402,
  title  = {Electronic structure, magnetoexcitons and valley polarized electron gas in 2D crystals},
  author = {Ludmila Szulakowska and Maciej Bieniek and Pawel Hawrylak},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1810.12402},
  year   = {2018}
}

备注

16 pages, 5 figures