范德瓦耳斯莫尔超晶格中的磁邻近效应

我们研究了由单层半导体堆叠在二维铁磁体之上形成的范德瓦耳斯异质结构中的磁邻近效应，其中层间晶格失配与扭转通常导致莫尔图案的形成。我们发现，由自旋依赖的层间耦合产生的磁邻近效应对层间原子配位非常敏感。因此，在莫尔图案中，原子配位的空间变化导致磁邻近场的横向调制。这种莫尔调制的磁邻近效应表现为强烈依赖于莫尔周期性的微带自旋分裂，而莫尔周期性可通过层间相对扭转和/或应变进行力学调控。我们还表明，由于层间距离上的莫尔调制，垂直电场可用于控制微带自旋分裂。我们的结果表明了潜在的纳米器件，其中莫尔调制的磁邻近效应可带来独特的自旋可控性。