MoS2/MX2/MoS2 三层异质结构的电子性质：第一性原理研究
计算物理
2018-02-27 v1 材料科学
摘要
本工作中，我们给出了 MoS2/MX2/MoS2（M=Mo 或 W；X=S 或 Se）三层异质结构电子性质的第一性原理仿真研究。我们研究了堆叠构型、双轴压缩与拉伸应变对三层异质结构电子性质的影响。在我们的研究中发现，在弛豫条件下所有不同堆叠构型的三层异质结构均呈现半导体性质。然而带隙的性质取决于插入顶层与底层 MoS2 之间的 TMDC 单层及其堆叠构型。如同双层异质结构，三层结构在施加拉伸应变时也呈现半导体到金属的转变。随着拉伸应变增大，导带极小值移至布里渊区 K 点，并观察到导带极小值处电子有效质量降低。投影态密度研究表明，导带极小值主要由 MoS2 层贡献，而价带极大值处的态由中间 TMDC 单层贡献。
引用
@article{arxiv.1802.09142,
title = {Electronic Properties of MoS2/MX2/MoS2 Trilayer Heterostructures: A First Principle Study},
author = {Kanak Datta and Quazi D. M. Khosru},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09142},
year = {2018}
}