TMDC异质原子层中的压电转换
介观与纳米尺度物理
2019-12-13 v2
摘要
WSe2/MoS2原子层的二维异质结构具有独特的压电特性，其依赖于原子层数、堆垛类型与层间相互作用大小。具有不同功函数的p型与n型TMDC原子层的范德瓦耳斯异质结构形成交错带排列。p型WSe2与n型MoS2原子层之间导带底与价带顶的大能带偏移导致大的电极化与压电性。尺寸为3.0 nm与1.5 nm的MoS2/WSe2部分垂直异质结构在4%与8%拉伸应变下的输出电压分别为0.137 V与0.183 V。由于本征压电性与面外对称条件的贡献，AB堆垛MoS2/WSe2异质结构在4%拉伸应变下的输出电压大于AA堆垛异质结构。与AA堆垛相比，AB堆垛具有更低的形成能与更好的结构稳定性。二维WSe2/MoS2原子层的纳米尺度部分或完全垂直异质结构的大输出电压，加上通过多个纳米压电器件串联增加的输出电压，将实现基于TMDC异质原子层的纳米机电系统（NEMS）。
引用
@article{arxiv.1810.00052,
title = {Piezoelectric conversion in TMDCs Heterostructure Atomic Layers},
author = {Sheng Yu and Tikaram Neupane and Dulitha Jayakodige and Zhuo Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.00052},
year = {2019}
}
备注
The results are less rigorous and even misleading