二维 TMDC 异质结构的光谱成像椭偏术
材料科学
2022-07-12 v1
摘要
半导体二维材料及其异质结构因丰富的光学性质而在应用与基础研究中备受关注。在范德瓦耳斯异质堆叠中的组装可显著改变本征光学性质以及波长依赖的吸收与发射效率,使得例如光致发光强度的直接比较变得困难。本文中,我们确定了典型 MoSe2/WSe2 异质双层及其各自单层的介电函数。除能量最低能带间跃迁发生 18 meV 至 44 meV 的红移外,我们发现对于更高能量,介电函数只能通过将范德瓦耳斯异质双层视为一种新的人工同质双层晶体而非单层堆叠来描述。所确定的介电函数被用于计算常用 Si/SiO2 衬底的氧化物厚度依赖下各单层与双层的迈克尔逊衬度。我们的结果凸显了在解释拉曼散射或光致发光等光学测量强度时,考虑影响迈克尔逊干涉的 altered 介电函数的必要性。
引用
@article{arxiv.2207.04633,
title = {Spectroscopic imaging ellipsometry of two-dimensional TMDC heterostructures},
author = {Florian Sigger and Hendrik Lambers and Nisi Katharina and Julian Klein and Nihit Saigal and Alexander W. Holleitner and Ursula Wurstbauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04633},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 4 figures