原子级薄 MoS2/WS2 异质结构中的超快电荷转移
介观与纳米尺度物理
2014-08-26 v1
摘要
范德华异质结构最近作为一种新材料类别涌现，其中堆叠的原子级薄二维 (2D) 层（包括石墨烯、六方氮化硼和过渡金属二硫属化物 (MX2)）之间的量子耦合产生了迷人的新现象。MX2 异质结构对于新型光电子和光伏应用特别令人兴奋，因为 2D MX2 单层在近红外到可见光谱范围内具有光学带隙，并表现出极强的光 - 物质相互作用。理论预测，许多堆叠的 MX2 异质结构形成 II 型半导体异质结，有利于光探测和收集的高效电子 - 空穴分离。在此，我们报告了利用光致发光映射和飞秒 (fs) 泵浦 - 探测光谱技术，首次在光激发的 MoS2/WS2 异质结构中观察到超快电荷转移。我们表明，空穴从 MoS2 层转移到 WS2 层发生在光激发后 50 fs 内，这对于范德华耦合的 2D 层而言是一个显著的速率。范德华异质结构中的这种超快电荷转移可为光电子学和光收集启用新型 2D 器件。
引用
@article{arxiv.1407.6395,
title = {Ultrafast Charge Transfer in Atomically Thin MoS2/WS2 Heterostructures},
author = {Xiaoping Hong and Jonghwan Kim and Su-Fei Shi and Yu Zhang and Chenhao Jin and Yinghui Sun and Sefaattin Tongay and Junqiao Wu and Yanfeng Zhang and Feng Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6395},
year = {2014}
}