MoSe2/WS2 异质结构中快速层间能量转移的证据
介观与纳米尺度物理
2016-11-04 v6
摘要
被限制在二维（2D）半导体中的强束缚激子是具有完美面内取向的偶极子。在半导体二维晶体的垂直堆叠中，由于强的层间库仑相互作用，这种面内激子偶极子有望跨越范德华间隙高效耦合并交换能量。然而，先前对第6族过渡金属二硫化物（TMDs）异质双层的研究发现，激子衰变动力学由层间电荷转移（CT）过程主导。在此，我们利用光致发光激发（PLE）光谱报告了在 MoSe2/WS2 异质结构中快速层间能量转移（ET）的实验观测。转移速率的温度依赖性表明，该 ET 是 Förster 型的，涉及 WS2 层中的激子共振激发 MoSe2 层中的高阶激子。估计约 1 ps 量级的 ET 时间，与碳纳米管束等其他纳米结构混合系统所报道的相比，属于最快之列。这些系统中高效的 ET 为通过智能层工程实现光放大和能量收集提供了前景。
引用
@article{arxiv.1509.01875,
title = {Evidence for Fast Interlayer Energy Transfer in MoSe2/WS2 Heterostructures},
author = {Daichi Kozawa and Alexandra Carvalho and Ivan Verzhbitskiy and Francesco Giustiniano and Yuhei Miyauchi and Shinichiro Mouri and A. H. Castro Neto and Kazunari Matsuda and Goki Eda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01875},
year = {2016}
}
备注
Main text: 14 pages, 5 figures, Supplementary Information: 18 pages, 12 figures, 1 table, Nano Letters (2016)