MoSe$_2$纳米褶皱的电子性质
材料科学
2024-02-16 v1
摘要
机械形变，无论是在样品制备过程中自发产生的，还是在纳米尺度操作中故意诱导的，都会极大地影响过渡金属硫族化合物单层的电子和光学性质。在这项基于密度泛函理论的第一性原理工作中，我们阐明了MoSe纳米褶皱中应变、曲率与电子结构之间的相互作用。我们分析了它们的结构性质，突出了同一系统中局部拉应变和压应变共存的影响。通过将纳米褶皱的能带结构与承受相同应变量下的平坦单层对应物进行对比，我们阐明了前者的具体特征（如带隙大小的适度变化及其持续的直接带隙性质）是由曲率而非应变主导的。对波函数分布的分析表明，在导带区前沿态表现出依赖于应变的局域化，而在价带区对应变的敏感性则弱得多。基于对有效质量的检查，对输运性质的讨论揭示了这些系统作为（光）电子器件有源组件的广阔前景。
引用
@article{arxiv.2402.09785,
title = {Electronic properties of MoSe$_2$ nanowrinkles},
author = {Stefan Velja and Jannis Krumland and Caterina Cocchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.09785},
year = {2024}
}