单层MoS$_2$中移动电子的一阶磁相变
介观与纳米尺度物理
2020-05-13 v1
摘要
本文给出了门控二维半导体单层MoS中存在一阶磁相变的证据。相边界将低电子密度下的自旋极化（铁磁）相与高电子密度下的顺磁相分开。光学响应的突变标志着磁性的突变。由此，磁有序可通过施加于器件栅电极的电压来控制。伴随磁性变化的是电子有效质量的显著改变。
引用
@article{arxiv.1911.10238,
title = {First-order magnetic phase-transition of mobile electrons in monolayer MoS$_2$},
author = {Jonas Gaël Roch and Dmitry Miserev and Guillaume Froehlicher and Nadine Leisgang and Lukas Sponfeldner and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Jelena Klinovaja and Daniel Loss and Richard John Warburton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.10238},
year = {2020}
}