金属相与半导体相 MoS2 单层之间相变的原子机制
材料科学
2013-10-10 v1
摘要
利用原位扫描透射电子显微镜（STEM）以原子精度系统研究了单层 MoS2 金属相（1T）与半导体相（2H）之间的结构转变。1T/2H 相变由 S 和/或 Mo 原子面的滑移组成，并需要中间相（相）作为不可或缺的前驱体。研究发现两种边界（和边界）的迁移也负责第二相的生长。通过在真空中将单层 MoS2 加热至 400~700C 期间使用高剂量入射电子束，可以有意识地在 2H 基体中引入 1T 相，且其尺寸确实可控。这项工作可能促成由具有不同电子性质的局域域组成的复合纳米器件的制造。
引用
@article{arxiv.1310.2363,
title = {Atomic mechanism of phase transition between metallic and semiconducting MoS2 single-layers},
author = {Yung-Chang Lin and Dumitru O. Dumcenco and Ying-Sheng Huang and Kazu Suenaga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2363},
year = {2013}
}
备注
18 pages, 5 figures, 1 table