单层二硫化锡的有效晶格哈密顿量：利用电场与磁场调控电子结构
计算物理
2018-06-20 v2 材料科学
摘要
近期合成的金属硫属化物单层二硫化锡(ML-SnS2)的电子性质，通过第一性原理计算与紧束缚(TB)近似相结合进行了研究。提出了一种基于六个具有三角旋转对称性的杂化 sp 类轨道的有效晶格哈密顿量，用于计算 ML-SnS2 的能带结构与态密度，其在宽能量范围内与相对论密度泛函理论计算表现出良好的定量一致。我们表明所提出的 TB 模型可轻易应用于外加电场情形，所得结果与完整哈密顿量结果一致。在垂直磁场存在下，获得了高度简并的等间距朗道能级，表现出典型的二维电子气行为。因此，所提出的 TB 模型为描述 ML-SnS2 中的新奇性质提供了一种简单的新途径。
引用
@article{arxiv.1804.01909,
title = {Effective lattice Hamiltonian for monolayer tin disulphide: tailoring electronic structure with electric and magnetic fields},
author = {Jin Yu and Edo van Veen and Mikhail I. Katsnelson and Shengjun Yuan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.01909},
year = {2018}
}