外延单层 MoS$_2$的电子结构
材料科学
2015-02-04 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
本文通过角分辨光电子能谱研究了 Au(111) 衬底上外延单层 MoS的电子结构。为了探测导带，研究了本征层和钾掺杂层。研究发现，钾掺杂层在点具有 (1.390.05)~eV 的直接带隙，其价带顶位于点，结合能显著高于点。该外延系统的莫尔超结构并未导致可观测的复制能带或迷你能隙。研究发现，自旋轨道相互作用解除了点处上层价带的简并，导致 (1454)~meV 的分裂。这种分裂是各向异性的，与最近的计算结果非常吻合。最后，研究表明钾掺杂强度具有依赖性，这使得在过渡金属二硫化物单层中进行能带结构工程成为可能。
引用
@article{arxiv.1410.0615,
title = {Electronic Structure of Epitaxial Single-Layer MoS$_2$},
author = {Jill A. Miwa and Søren Ulstrup and Signe G. Sørensen and Maciej Dendzik and Antonija Grubišić Čabo and Marco Bianchi and Jeppe Vang Lauritsen and Philip Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.0615},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures