Au(111)表面外延单层MoS$_2$的合成
材料科学
2016-01-05 v1
摘要
我们提出了一种在超高真空中于Au(111)表面合成大面积外延单层MoS的方法。利用扫描隧道显微镜和低能电子衍射，跟踪了从纳米尺度单层MoS岛到连续MoS层的生长演变。基于钼蒸发和硫化循环的工艺实现了对MoS覆盖度的极好控制：先成核MoS纳米岛，然后逐渐增大其尺寸。在此生长过程中，如低能电子衍射测量所示，Au(111)固有的鱼骨状重构被消除。在这些MoS岛内，我们识别出旋转60的畴，导致畴边界处出现原子级尖锐的线缺陷。当MoS覆盖度接近完整单层的极限时，开始形成双层MoS岛。对单层和双层MoS样品的角分辨光电子能谱测量显示其能带结构在布里渊区中心附近发生显著变化。将MoS层从真空取出后短暂暴露于空气，未发现影响其质量。
引用
@article{arxiv.1509.06864,
title = {Synthesis of Epitaxial Single-Layer MoS$_2$ on Au(111)},
author = {Signe S. Grønborg and Søren Ulstrup and Marco Bianchi and Maciej Dendzik and Charlotte E. Sanders and Jeppe V. Lauritsen and Philip Hofmann and Jill A. Miwa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06864},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 6 figures