Au(111)上单层二硒化钒的相变及其独特电子结构
材料科学
2024-06-19 v2 应用物理
摘要
本文报道了通过交替热退火与硒补充，在Au(111)上生长的单层VSe2的可逆结构相变。利用扫描隧道显微镜（STM）和角分辨光电子能谱（ARPES），我们证明了高质量VSe2在Au(111)上的外延生长具有八面体（1T）结构，以及由Se空位诱导的VSe2从金属摩尔（1T）相到半导体（2H）相的转变。实验结果与DFT计算结果高度吻合，证实了缺陷中间相中晶界附近的纳米结构，以及Se在升温过程中逐渐耗尽的反应路径。重要的是，研究揭示了线性Se缺陷的密度在2H畴相的形成中起着至关重要的作用，这归因于Se脱附后面内晶格参数的增加以及2H相比1T相具有更好的热稳定性。合理控制VSe2最顶层Se层中Se原子的密度，可以有效地调控条状畴中1T相与2H相的比例，这被视为纳米电子学中二维同质结的良好平台。
引用
@article{arxiv.2401.17562,
title = {Phase Transition of single-layer vanadium diselenide on Au(111) with distinguished electronic structures},
author = {Jinbang Hu and Xiansi Wang and Chaoqin Huang and Fei Song and Justin W Wells},
journal= {arXiv preprint arXiv:2401.17562},
year = {2024}
}
备注
17 pages