VSe2 中的结构相变：能量学、电子结构与磁性
强关联电子
2019-10-21 v2 材料科学
摘要
对描述 VSe2 两种结构相（H、T）之间转变的磁性与电子性质进行了第一性原理计算。计算结果表明相变能垒相当低（单层为 0.60 eV）。使 Se 原子或整层硒原子偏离初始位置小角度达 10 度所需的能量也相当低，分别为 0.32 和 0.19 eV/Se。由这些 Se 原子运动引起的 VSe2 能带结构变化应在实验数据分析中加以考虑。应变效应模拟表明，实验观察到的 VSe2 单层 T 相由于衬底诱导应变而为基态。铁磁与反铁磁构型总能量差的计算表明，对于所有稳定及中间原子结构，铁磁构型均为系统的基态。计算的声子色散表明磁构型对振动性质有显著影响。
引用
@article{arxiv.1909.11134,
title = {Structural phase transitions in VSe2: energetics, electronic structure and magnetism},
author = {Georgy V. Pushkarev and Vladimir G. Mazurenko and Vladimir V. Mazurenko and Danil W. Boukhvalov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.11134},
year = {2019}
}