中文

$MoSe_2/V_2O_5$ 异构结构界面磁性

材料科学 2025-08-05 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

掺杂过渡金属二硫化物单层材料和石墨烯界面材料的磁性,已激发人们寻找纳米尺度可持续磁态的热情,这有望用于构建自旋电子器件。本研究报告了一种由 MoSe2MoSe_2 过渡金属二硫化物单层和 V2O5V_2O_5 基片组成的异构结构中的磁性。通过密度泛函理论模拟,我们发现即使在单个组件均为非磁性时,MoSe2/V2O5MoSe_2/V_2O_5 异构结构也可出现铁磁有序。通过考察该系统的电子结构和磁性属性,我们发现若过渡金属二硫化物或 V2O5V_2O_5 基片能够容纳点缺陷,铁磁性如何演变。该研究表明,电荷转移与自旋重组织之间的平衡可导致新型混合材料中的界面磁性。

关键词

引用

@article{arxiv.2508.01214,
  title  = {Magnetism at the interface of $MoSe_2/V_2O_5$ heterostructures},
  author = {Rohin Sharma and Diem Thi-Xuan Dang and Lilia M. Woods},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2508.01214},
  year   = {2025}
}