反铁磁体-半导体范德瓦耳斯异质结构：激子与磁序的层间相互作用
材料科学
2020-05-22 v1
摘要
范德瓦耳斯(vdW)异质结构因其丰富的材料组合而备受关注。二维磁体的发现为磁性vdW异质界面提供了新平台；然而，关于磁性vdW异质界面的研究仅限于具有铁磁表面的体系。本文报道了一种使用层内反铁磁性MPSe3 (M=Mn, Fe)与单层过渡金属硫族化物(TMDs)的磁性vdW异质界面。我们发现，在MPSe3的反铁磁转变温度以下，单层TMDs中的激子峰出现反常上移，捕捉到了层间激子-磁子耦合的特征。这是将单一材料中的概念拓展至异质界面。此外，该耦合强烈依赖于面内磁结构与堆垛方向，显示出其对磁界面的敏感性。我们的发现为研究不同材料跨界面的元激发相互作用以及探索磁性vdW异质界面的新功能提供了契机。
引用
@article{arxiv.2005.10727,
title = {Antiferromagnet-semiconductor van der Waals heterostructures: interlayer interplay of exciton with magnetic ordering},
author = {Masaru Onga and Yusuke Sugita and Toshiya Ideue and Yuji Nakagawa and Ryuji Suzuki and Yukitoshi Motome and Yoshihiro Iwasa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.10727},
year = {2020}
}