在范德瓦尔斯巡游磁体中定制高奈尔温度层间反铁磁性
材料科学
2020-04-28 v1 强关联电子
摘要
反铁磁(AFM)范德瓦尔斯(vdW)材料为合成 AFM 自旋电子学提供了新平台，其中自旋相关功能源于对层间自旋构型的操控。金属性 vdW 反铁磁体相较于被广泛研究的绝缘对应体，在通过电流切换和探测自旋态方面具有若干优势，但由于缺乏合适材料而很少被探索。本文利用 vdW 层间磁性对材料组成的极端敏感性，报道了 Co 掺杂 Fe4GeTe2 中的巡游反铁磁性，其奈尔温度 TN ~ 210 K，较其他已知 AFM vdW 金属提高了一个数量级。所得自旋构型与取向可由掺杂、磁场、温度和厚度灵敏调控，并通过电导有效读出。这些发现展示了具有可调层间交换相互作用和磁各向异性的金属性 vdW 磁体在 AFM 自旋电子学应用中的显著优势。
引用
@article{arxiv.2004.12650,
title = {Tailoring high-TN interlayer antiferromagnetism in a van der Waals itinerant magnet},
author = {Junho Seo and Eun Su An and Taesu Park and Soo-Yoon Hwang and Gi-Yeop Kim and Kyung Song and Eunseok Oh and Minhyuk Choi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Youn Jung Jo and Han Woong Yeom and Si-Young Choi and Ji Hoon Shim and Jun Sung Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.12650},
year = {2020}
}
备注
19 pages, 4 figures, submitted