范德瓦耳斯磁体 Fe$_5$GeTe$_2$ 中的栅极调控磁相变
材料科学
2021-08-04 v1
摘要
磁性范德瓦耳斯（vdW）材料，包括铁磁体（FM）与反铁磁体（AFM），使人们得以研究二维（2D）极限下的磁性，近来广受关注。然而，其中大多为半导体或绝缘体，而 vdW 巡游磁体，尤其是 vdW 巡游反铁磁体极为罕见。本文中，我们研究了 vdW 巡游磁体 FeGeTe（F5GT）的异常霍尔效应，其厚度可薄至 6.8 nm（两个晶胞）。尽管薄层 F5GT 具有稳健的铁磁基态，我们表明，由质子栅极实现的电子掺杂最终可诱导从 FM 到 AFM 的磁相变。在 F5GT 中实现反铁磁相，凸显了其在高温反铁磁 vdW 器件与异质结构中的潜在应用价值。
引用
@article{arxiv.2012.00891,
title = {Gate-controlled magnetic phase transition in a van der Waals magnet Fe$_5$GeTe$_2$},
author = {Cheng Tan and Wen-Qiang Xie and Guolin Zheng and Nuriyah Aloufi and Sultan Albarakati and Meri Algarni and Jiangpeng Song and James Partridge and Dimitrie Culcer and Xiaolin Wang and Jiabao Yi and Yimin Xiong and Mingliang Tian and Yu-Jun Zhao and Lan Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.00891},
year = {2021}
}
备注
27 pages