二维 van der Waals 铁磁体中非磁性位掺杂对非常规 Hall 效应的调控
强关联电子
2022-08-17 v1 材料科学
摘要
由于磁序可延续至原子尺度且具备界面工程的灵活性，二维 (2D) van der Waals (vdW) 磁性材料引起了广泛关注，为探索新颖的自旋电子学现象和功能提供了极具吸引力的平台。理解磁阻性质及其与底层磁构型的关联，对于基于 2D vdW 的自旋电子学或量子信息器件至关重要。在有潜力的候选材料中，vdW 铁磁体 (FM) Fe3GeTe2 表现出非常规的磁输运行为，该行为可通过在磁性 (Fe) 位掺杂进行调控，初步认为其源于复杂的底层自旋纹理构型。在此，我们探索了一种在不直接影响磁性位的情况下调控 vdW FM 磁输运性质的替代途径，即在 Fe3(Ge,As)Te2 的非磁性 (Ge) 位进行掺杂。有趣的是，在非磁性 (Ge) 位掺杂产生了一种非常规 Hall 效应，其强度通过增加 As 浓度得到了显著调控，这可能源于底层复杂自旋构型所涌现的电磁行为。目前的结果提供了一条可能的途径，以理解非磁性 (Ge) 原子在 vdW FM 磁性性质中所扮演的复杂角色，并展示了一个调控底层相互作用的新方向，该相互作用负责稳定 2D 磁性 vdW 材料中的非平庸自旋纹理。
引用
@article{arxiv.2112.04425,
title = {Modification of unconventional Hall effect with doping at the non-magnetic site in a 2D van der Waals ferromagnet},
author = {Rajeswari Roy Chowdhury and Chandan Patra and Samik DuttaGupta and Sayooj Satheesh and Shovan Dan and Shunsuke Fukami and Ravi Prakash Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.04425},
year = {2022}
}
备注
9 pages