范德瓦耳斯材料Fe3GeTe2中非常规霍尔效应及其随Co掺杂的变化
材料科学
2021-07-09 v2 强关联电子
摘要
二维(2D)范德瓦耳斯(vdW)磁性材料因长程磁序在原子尺度上的稳定以及具有独特功能的新型自旋电子器件的前景而备受关注。厘清磁阻特性及其与底层磁构型的关联,对于基于2D vdW的自旋电子器件至关重要。本文研究了Co掺杂对Fe3GeTe2磁性与磁输运性质的影响。磁输运测量揭示了一种不寻常的霍尔效应行为,其强度被Co掺杂显著改变,并归因于底层复杂的自旋纹理。本结果为调控实现2D vdW铁磁基自旋电子学中多种非常规自旋纹理所需的底层相互作用提供了线索。
引用
@article{arxiv.2011.11269,
title = {Unconventional Hall effect and its variation with Co-doping in van der Waals Fe3GeTe2},
author = {Rajeswari Roy Chowdhury and Samik DuttaGupta and Chandan Patra and Oleg A. Tretiakov and Sudarshan Sharma and Shunsuke Fukami and Hideo Ohno and Ravi Prakash Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.11269},
year = {2021}
}
备注
20 pages, 6 figures