Fe4GeTe2 中自旋重取向驱动的拓扑霍尔效应
材料科学
2025-07-11 v1
摘要
具有较高有序温度的范德华 (vdW) 铁磁体因其在基础物理中的重要性以及在自旋电子学中的潜在应用而成为当前的研究焦点。竞争性的磁相互作用和各向异性可以在这些材料中产生非平庸的自旋织构，从而导致新颖的拓扑特征。Fe4GeTe2 (F4GT) 是一种近室温的 vdW 铁磁体，以承载由垂直磁各向异性 (PMA) 和形状各向异性相互作用产生的自旋重取向转变 (SRT) 而闻名。在这项工作中，我们研究了 F4GT 单晶的角度依赖磁输运性质。我们报告了在多层 F4GT 中源于 SRT 驱动的非共面自旋织构的大拓扑霍尔效应 (THE)。THE 出现在外部磁场的面内取向，并在 SRT 附近的宽温度范围内持续存在。此外，我们发现在低温区，对于磁场的 c 轴取向，存在一个厚度敏感的 THE 信号，该信号与重入 Lifshitz 转变有关。
引用
@article{arxiv.2502.00170,
title = {Spin-reorientation driven topological Hall effect in Fe4GeTe2},
author = {Alapan Bera and Soumik Mukhopadhyay},
journal= {arXiv preprint arXiv:2502.00170},
year = {2025}
}