单层 VS₂ 的电子结构与电荷密度波转变
强关联电子
2021-11-24 v1 材料科学
摘要
二硫化钒（VS₂）因其电荷密度波（CDW）相变、铁磁性及催化反应性而备受关注，但单层的电子结构尚不清楚。本文报道了通过分子束外延（MBE）在双层石墨烯上合成外延 1T VS₂ 单层。角分辨光电子能谱（ARPES）测量显示，以 M 点为中心的六个椭圆口袋构成的费米面在低温下发生能隙打开。能隙大小的温度依赖性表明存在高于室温的 CDW 相变。我们的观测为理解二维过渡金属硫族化物（TMDCs）中的强关联电子物理及相关表面催化性质提供了重要证据。
引用
@article{arxiv.2104.02217,
title = {Electronic structure and charge-density wave transition in monolayer VS_{2}},
author = {Hyuk Jin Kim and Byoung Ki Choi and In Hak Lee and Min Jay Kim and Seung-Hyun Chun and Chris Jozwiak and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and Young Jun Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.02217},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 4 figures, accepted in Current Applied Physics