利用分子束外延在 GaAs(111)B 上相干生长与表征 van der Waals 1T-VSe$_2$ 层
材料科学
2020-08-26 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了通过分子束外延在 GaAs(111)B 衬底上以外八面体配位（1T）结构外延生长二硒化钒（VSe）薄膜。展示了从单 monolayer（ML）到 30 ML 的薄膜厚度。利用 x 射线衍射、透射电子显微镜、扫描隧道显微镜和 x 射线光电子能谱进行的结构与化学研究表明薄膜质量高。进一步研究表明，GaAs 上的单层 VSe 薄膜不耐空气，会在数小时内发生氧化，这表明对于器件应用应采用保护性覆盖层。本工作表明，VSe 这一可用于自旋电子与电子应用的候选 van der Waals 材料，可通过外延生长与 III-V 半导体集成用于二维/三维混合器件。
引用
@article{arxiv.2004.05506,
title = {Coherent Growth and Characterization of van der Waals 1T-VSe$_2$ Layers on GaAs(111)B Using Molecular Beam Epitaxy},
author = {Tiancong Zhu and Dante J. O'Hara and Brenton A. Noesges and Menglin Zhu and Jacob J. Repicky and Mark R. Brenner and Leonard J. Brillson and Jinwoo Hwang and Jay A. Gupta and Roland K. Kawakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.05506},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 4 figures