MoS2 的激光减薄：单层半导体的按需生成

单层 MoS2 是一种极具吸引力的石墨烯半导体类似物，它将高机械柔性与 1.8 eV 的直接带隙相结合。另一方面，体相 MoS2 是一种类似于硅的间接带隙半导体，带隙为 1.2 eV，因此确定性地制备单层 MoS2 是在电子、光电子和光伏应用中利用单层 MoS2 大直接带隙的关键步骤。尽管机械剥离和化学剥离方法可用于获得高质量的 MoS2 单层，但缺乏对薄片厚度、形状、尺寸和位置的控制限制了它们的实用性。在这里，我们提出了一种利用激光可控地将多层 MoS2 减薄至单层二维晶体的技术。我们生成了特征尺寸小至 200 nm 的任意形状和图案的单层，并表明所得的二维晶体具有与原始剥离的 MoS2 单层相当的光学和电子性质。