单层 MoS2 光电晶体管
材料科学
2013-10-31 v1
摘要
我们制备了一种基于机械剥离单层 MoS2 纳米片的新型光电晶体管，并详细研究了其光致电学特性。该光电晶体管产生的光电流完全由恒定漏极电压或栅极电压下的照射光功率决定。光电流的产生与消失的开关行为可在约 50 ms 内完全完成，且表现出良好的稳定性。特别是，与基于石墨烯的器件相比，单层 MoS2 光电晶体管展现出更好的光响应度。MoS2 光电晶体管具有入射光可控、快速光开关和良好光响应度等独特特性，为未来开发用于多功能光电器件应用的单层半导体材料开辟了一条途径。
引用
@article{arxiv.1310.8066,
title = {Single-Layer MoS2 Phototransistors},
author = {Zongyou Yin and Hai Li and Hong Li and Lin Jiang and Yumeng Shi and Yinghui Sun and Gang Lu and Qing Zhang and Xiaodong Chen and Hua Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.8066},
year = {2013}
}
备注
28 pages