单层 MoS2 中巨大且可调的光热电效应
介观与纳米尺度物理
2013-02-07 v1 材料科学
摘要
我们通过扫描光电流显微镜研究了单层 MoS2 场效应晶体管的光响应。我们发现，与许多其他半导体不同，单层 MoS2 中的光电流产生主要由光热电效应主导，而非由 MoS2/电极界面处的肖特基势垒分离光生电子 - 空穴对所主导。我们观测到单层 MoS2 具有巨大的塞贝克系数，该系数可通过外加电场在 -4x10^2 uV/K 至 -1x10^5 uV/K 之间进行调节。单层 MoS2 这种巨大且可调的塞贝克系数为该材料的新应用铺平了道路，例如片上温差发电和废热能收集。
引用
@article{arxiv.1302.1280,
title = {Large and tunable photo-thermoelectric effect in single-layer MoS2},
author = {Michele Buscema and Maria Barkelid and Val Zwiller and Herre S. J. van der Zant and Gary A. Steele and Andres Castellanos-Gomez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1280},
year = {2013}
}
备注
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