MoS$_2$晶体管中的栅极可调非易失性光存储效应
应用物理
2020-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
非易失性存储器件一直局限于结构复杂的闪存架构。在此，我们展示了MoS晶体管中一种独特的光存储效应。该光存储基于光掺杂效应——一种利用激光照射与栅极电压施加相结合来调控单层MoS中自由电荷密度的受控方式。光掺杂促使MoS电导发生变化，从而产生具有高存储开关比的光存储态。此类存储态是非易失的，预计可保持多达50%的信息达数十年。此外，我们展示了光掺杂是栅极可调的，从而能控制所记录的存储态。最后，我们提出一个模型来解释光掺杂，并提供了支持该现象的实验证据。总之，我们的工作将MoS光电晶体管纳入非易失性存储器件，并将存储应用的可能性扩展到传统存储架构之外。
引用
@article{arxiv.2006.09986,
title = {Gate-tunable non-volatile photomemory effect in MoS$_2$ transistors},
author = {Andreij C. Gadelha and Alisson R. Cadore and Kenji Watanabe and Takashi Tanigushi and Ana M. de Paula and Leandro M. Malard and Rodrigo G. Lacerda and Leonardo C. Campos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.09986},
year = {2020}
}