单层及少层 MoS2 的光门控效应
材料科学
2015-04-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们描述了单层及少层 MoS2 中的光门控效应，其允许在无电学接触的情况下将电荷载流子密度控制近两个数量级。我们的 Raman 研究与物理吸附的环境分子一致，这些分子通过电荷转移有效地耗尽本征 n 型掺杂的电荷载流子系统，并可通过光照逐渐去除。该光门控过程是可逆的，并且可通过光强精确调控。光门控效率通过与静电门控 MoS2 上的测量相比较而量化。
引用
@article{arxiv.1503.00568,
title = {Photogating of mono- and few-layer MoS2},
author = {Bastian Miller and Eric Parzinger and Anna Vernickel and Alexander W. Holleitner and Ursula Wurstbauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.00568},
year = {2015}
}