环境效应对 MoS2 光电探测器中光门控的影响
介观与纳米尺度物理
2019-04-23 v2
摘要
原子级薄过渡金属硫族化物（TMDs）是柔性、半透明超薄光电子学的理想候选材料。基于 TMDs 的光电探测器表现出卓越性能，其响应度和探测度分别高于 10^3 A/W 和 10^12 Jones，但它们受困于慢至数十秒的响应时间。尽管已明确诸如水和氧气等气体吸附物会产生电荷陷阱并显著提高响应度和响应时间，其潜在机制仍不清楚。在此，我们研究在环境条件下、真空以及不同波长光照下吸附物对 MoS2 光电探测器的影响。我们表明，对于波长足够短以在 MoS2 中激发电子-空穴对的情況，光照射会导致水和氧分子的解吸。由物理吸附分子提供的分子门控的变化是环境条件下器件光响应的主要贡献。
引用
@article{arxiv.1901.03418,
title = {Ambient Effects on Photogating in MoS2 Photodetectors},
author = {Peize Han and Eli Adler and Yijing Liu and Luke St. Marie and Abdel El Fatimy and Scott Melis and Edward Van Keuren and Paola Barbara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.03418},
year = {2019}
}