门控MoS2肖特基结中的电子-空穴输运与光伏效应
材料科学
2013-04-10 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
原子级薄的MoS2最近已成为纳米级光电器件中极具吸引力的材料。虽然MoS2器件中的n型输运已被证实，但空穴导电更具挑战性。这里我们展示功函数工程是控制MoS2器件极性的有效方法。具有Au源漏接触的门控多层MoS2晶体管表现出n型操作，而具有Pd接触的则表现出p型行为。具有一个Au和一个Pd接触的器件在宽栅压范围内表现出不对称双极性行为和二极管特性，以及可观的光伏效应。我们认为光伏效应源于源漏接触处积累的空间电荷的内建电势。
引用
@article{arxiv.1206.6125,
title = {Electron-hole transport and photovoltaic effect in gated MoS2 Schottky junctions},
author = {Marcio Fontana and Tristan Deppe and Anthony K. Boyd and Mohamed Rinzan and Amy Y. Liu and Makarand Paranjape and Paola Barbara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1206.6125},
year = {2013}
}
备注
11 pages, 5 figures