由高功函数 MoOx 接触实现的 MoS2 P 型晶体管和二极管
材料科学
2014-02-27 v1
摘要
开发低电阻源/漏接触对于过渡金属二硫族化合物 (TMDCs) 高性能逻辑元件的实现至关重要。特别是，制造基于 MoS2（一种典型的 TMDC）的 p 型晶体管需要高效的空穴接触。先前的研究表明，元素金属的费米能级被钉扎在 MoS2 的导带附近，从而导致较大的空穴肖特基势垒高度，限制了来自接触的空穴注入。在此，我们表明亚化学计量比的三氧化钼 (MoOx, x<3) 作为一种高功函数材料，可作为向 MoS2 和 WSe2 注入空穴的高效层。特别是，我们通过使用 MoOx 接触展示了 MoS2 p 型场效应晶体管和二极管。我们还表明，与使用 Pd 接触（用于空穴注入的典型金属）制造的器件相比，带有 MoOx 接触的 p 型 WSe2 场效应晶体管的导通电流有了显著改善。这项工作代表了 TMDCs 接触工程的重要进展，并将使其性能极限和本征输运性质的未来探索成为可能。
引用
@article{arxiv.1402.6632,
title = {MoS2 P-type Transistors and Diodes Enabled by High Workfunction MoOx Contacts},
author = {Steven Chuang and Corsin Battaglia and Angelica Azcatl and Stephen McDonnell and Jeong Seuk Kang and Xingtian Yin and Mahmut Tosun and Rehan Kapadia and Hui Fang and Robert M. Wallace and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6632},
year = {2014}
}